《半导体- Metal lift off 制程介绍》
发表时间:2024-10-22
1.在基板表面上沉积一层金属薄膜,形成所需的图案。
2.在金属薄膜表面上覆盖一层光阻,并使用光学曝光和升华技术,将光阻蚀刻出所需的图案。
3.以金属薄膜未被蚀刻的区域为模板,使用化学蚀刻剂,将未被蚀刻的金属部分溶解掉,从而实现金属脱离。
4.最后,使用清洗剂去除光阻和化学蚀刻残留物,完成金属脱离的制程。
金属脱离的原理主要是基于化学蚀刻的原理,即在蚀刻液中,金属与蚀刻液之间的化学反应会产生可溶性的金属化合物或离子,进而导致金属薄膜的溶解。而由于蚀刻液的溶解速度与光阻的蚀刻速度不同,所以在光阻被蚀刻后,未被光阻覆盖的金属部分可以被化学蚀刻剂溶解,实现金属脱离的制程。
在这个过程中,金属薄膜在化学溶液的侵蚀下,被剥离下来,而光阻则被保留下来。由于Metal lift off技术可以制造出非常微细的结构,因此在微电子学、光学和生物医学等领域都有广泛的应用。
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