光阻(Photoresist)是一种光敏感材料，由树脂、光敏感剂、溶剂和添加剂等组成,根据 曝光显影后的变化，分为正型(Positive type)光阻和负型(Negative type)光阻。

正型(Positive type)光阻：经过曝光后，受到光照的部分将在显影时溶解,显影后留下的是未受到曝光部分的图案。应用于对图案精细度要求较高的IC产品。

负型(Negative type)光阻：经过曝光后，显影时则是没受到光照的部分溶解,显影后留 下光照部分所形成的图案。应用于工艺成本较低产品。

◎依曝光的光源不同光源可区分为

紫外线(UV)：使用g-line(436nm)和i-line(365nm)光阻剂0

深紫外线(Deep UV；DUV)：使用KrF(248nm)与ArF(193nm)光阻剂超紫外线(Extreme UV；EUV)：目前最新技术之光阻剂

◎光阻剥离PR Strip

光阻材料是有机物一般以碳、氢、氧化合物为主体,一般都用硫酸根或氢氧根离子破坏 碳氢氧键,达到光阻去除的目的,传统光阻剥离剂多是采用 DMSO(二甲基亚砜)、BDG(二乙二 醇单丁醚)、MEA(单乙醇胺)、NMP(氮-甲基四氢吡咯酮)成分混和而成。

光阻剥离的过程一般分为膨润跟溶解两步,会先膨润先打断光阻的碳氢氧键,让长链高 分子变成小分子的有机物，再用界面活性剂包覆、溶解至溶剂中，而达到洗净的效果。